SQ3987EV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ3987EV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.133 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SQ3987EV datasheet

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SQ3987EV

SQ3987EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TSOP-6 Dual D2 TrenchFET power MOSFET 4 S1 AEC-Q101 qualified 5 D1 100 % Rg and UIS tested 6 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 G2 2 S2 S2 1 S1 G1 Top View Marking code 8X G2 G1 PRODUC

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SQ3985EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -20 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.145 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -2.5 V 0.200 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = -1.8 V 0.300 for definitions of compliance please s

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SQ3987EV

SQ3989EV www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TSOP-6 Dual D2 TrenchFET power MOSFET 4 S1 AEC-Q101 qualified 5 D1 100 % Rg and UIS tested 6 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 3 G2 2 S1 S2 S2 1 G1 Top View Marking Code 9B G1 G2 PRODUCT SU

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