SQ3989EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQ3989EV
   Código: 9B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ3989EV

SQ3989EV Datasheet (PDF)

..1. Size:226K vishay
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SQ3989EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTSOP-6 DualD2 TrenchFET power MOSFET4S1 AEC-Q101 qualified5D1 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123G22S1 S2S21G1Top ViewMarking Code: 9BG1 G2PRODUCT SU

9.1. Size:230K vishay
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SQ3985EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -20 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.145 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -2.5 V 0.200 Material categorization: RDS(on) () at VGS = -1.8 V 0.300for definitions of compliance please s

9.2. Size:221K vishay
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SQ3987EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESTSOP-6 DualD2 TrenchFET power MOSFET4S1 AEC-Q101 qualified5D1 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999123G22S2S21S1G1Top ViewMarking code: 8XG2G1PRODUC

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