SQ7414CENW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ7414CENW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8W

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SQ7414CENW datasheet

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SQ7414CENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 D D 7 7 D D 6 6 package with 1.07 mm profile 5 5 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified 1 1 2 2 Wettable flank terminals S S 3

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SQ7414AEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimized ID (A) 16 100 % Rg and UIS tested Configuration Single AEC-

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SQ7414AENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.023 package with 1.07 mm profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimized ID (A) 18 100 % Rg and UIS tested Configuration Single AEC

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SQ7414EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.025 Package with 1.07 mm Profile RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.036 PWM Optimized ID (A) 5.6 AEC-Q101 Qualified Configuration Single 100 % R

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