Справочник MOSFET. SQ7414CENW

 

SQ7414CENW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ7414CENW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8W
 

 Аналог (замена) для SQ7414CENW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7414CENW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  vishay
sq7414cenw.pdfpdf_icon

SQ7414CENW

SQ7414CENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 DD77DD66package with 1.07 mm profile55 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified1122 Wettable flank terminalsSS3

 8.1. Size:614K  vishay
sq7414aen.pdfpdf_icon

SQ7414CENW

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

 8.2. Size:210K  vishay
sq7414aenw.pdfpdf_icon

SQ7414CENW

SQ7414AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.023package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimizedID (A) 18 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC

 8.3. Size:547K  vishay
sq7414en.pdfpdf_icon

SQ7414CENW

SQ7414ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.025Package with 1.07 mm ProfileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM OptimizedID (A) 5.6 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % R

Другие MOSFET... SQ3426AEEV , SQ3427AEEV , SQ3461EV , SQ3585EV , SQ3987EV , SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , IRLB4132 , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP .

History: IRFS3107-7PPBF | UTT80N10 | IRFS3107PBF | LNG06R110 | 4N90G-TF3-T | SVD640S | TPU60R3K4C

 

 
Back to Top

 


 
.