SQA401EJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQA401EJ
   Código: QB*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6

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SQA401EJ Datasheet (PDF)

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sqa401ej.pdf

SQA401EJwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SC-70-6L Single TrenchFET power MOSFETDD 6 AEC-Q101 qualified dS 54 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912S172 DS3 D1GTop View Bottom ViewMark

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Liste

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