SQD40081EL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQD40081EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 576 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SQD40081EL MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SQD40081EL datasheet
sqd40081el.pdf
SQD40081EL www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-252 TO TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance Drain connected to tab 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 S D S G Top View PRODUCT S
sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 100 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.040 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.048 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 38 100 % Rg and
sqd40n10-25.pdf
SQD40N10-25 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.029 AEC-Q101 Qualified ID (A) 40 Material categorization Configuration Single
sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.017 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 40 Material categorization Configuration Single
Otros transistores... SQ3461EV, SQ3585EV, SQ3987EV, SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, AON7506, SQJ148EP, SQJ158EP, SQJ200EP, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP
History: SQ3585EV
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71
