SQJ200EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ200EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQJ200EP datasheet

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SQJ200EP

SQJ200EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified d VDS (V) 20 20 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0088 0.0037 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0124 0.0050 for definitions of compliance p

 9.1. Size:354K  vishay
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SQJ200EP

SQJ202EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified d VDS (V) 12 12 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0065 0.0033 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045 for definitions of compliance pl

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