Справочник MOSFET. SQJ200EP

 

SQJ200EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ200EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ200EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ200EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  vishay
 sqj200ep.pdf pdf_icon

SQJ200EP

SQJ200EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 20 20 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0088 0.0037 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0124 0.0050for definitions of compliance p

 9.1. Size:354K  vishay
 sqj202ep.pdf pdf_icon

SQJ200EP

SQJ202EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 12 12 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0065 0.0033 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045for definitions of compliance pl

Другие MOSFET... SQ3989EV , SQ4005EY , SQ4940AEY , SQ7414CENW , SQA401EJ , SQD40081EL , SQJ148EP , SQJ158EP , IRFZ24N , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , SQJ409EP , SQJ414EP , SQJ416EP , SQJ418EP .

History: WMK53N65F2 | AP9918J | R6509KNX | CSD17585F5 | TPP60R3K4C | BRI2N65

 

 
Back to Top

 


 
.