SQJ200EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ200EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ200EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ200EP даташит

 ..1. Size:349K  vishay
 sqj200ep.pdf pdf_icon

SQJ200EP

SQJ200EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified d VDS (V) 20 20 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0088 0.0037 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0124 0.0050 for definitions of compliance p

 9.1. Size:354K  vishay
 sqj202ep.pdf pdf_icon

SQJ200EP

SQJ202EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified d VDS (V) 12 12 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0065 0.0033 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045 for definitions of compliance pl

Другие IGBT... SQ3989EV, SQ4005EY, SQ4940AEY, SQ7414CENW, SQA401EJ, SQD40081EL, SQJ148EP, SQJ158EP, TK10A60D, SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP