Справочник MOSFET. SQJ200EP

 

SQJ200EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQJ200EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SQJ200EP

 

 

SQJ200EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  vishay
 sqj200ep.pdf

SQJ200EP SQJ200EP

SQJ200EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 20 20 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0088 0.0037 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0124 0.0050for definitions of compliance p

 9.1. Size:354K  vishay
 sqj202ep.pdf

SQJ200EP SQJ200EP

SQJ202EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 qualified dVDS (V) 12 12 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0065 0.0033 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0093 0.0045for definitions of compliance pl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top