SQJ420EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ420EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ420EP

SQJ420EP Datasheet (PDF)

..1. Size:279K vishay
sqj420ep.pdf

SQJ420EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1Swww.vishay.com/doc?999122S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYGVDS (V) 40R

9.1. Size:169K vishay
sqj422ep.pdf

SQJ422EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0043 Material categorization:ID (A) 75For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.

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History: IRFD110

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: