SQJ420EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ420EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SQJ420EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ420EP даташит

 ..1. Size:279K  vishay
 sqj420ep.pdf pdf_icon

SQJ420EP

SQJ420EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 40 R

 9.1. Size:169K  vishay
 sqj422ep.pdf pdf_icon

SQJ420EP

SQJ422EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0034 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0043 Material categorization ID (A) 75 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

Другие IGBT... SQJ202EP, SQJ260EP, SQJ262EP, SQJ407EP, SQJ409EP, SQJ414EP, SQJ416EP, SQJ418EP, RFP50N06, SQJ433EP, SQJ446EP, SQJ454EP, SQJ457EP, SQJ464EP, SQJ474EP, SQJ476EP, SQJ479EP