SQJ454EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ454EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQJ454EP datasheet

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SQJ454EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 www.vishay.com/doc?99912 S 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 200 G

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SQJ456EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 6 V 0.030 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 32 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoHS

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SQJ457EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0250 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0350 Material categorization ID (A) -36 for definitions of compliance please see Configuration Singl

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