SQJ457EP Todos los transistores

 

SQJ457EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ457EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQJ457EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
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SQJ457EP

SQJ457EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0250 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0350 Material categorization:ID (A) -36for definitions of compliance please see Configuration Singl

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SQJ457EP

SQJ456EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.026 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 6 V 0.030 AEC-Q101 QualifieddID (A) 32 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS

 9.2. Size:296K  vishay
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SQJ457EP

SQJ454EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see 1www.vishay.com/doc?99912S2S3DS41 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 200G

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History: PDP3960 | HMS85N95 | BUZ100S

 

 
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