SQJ479EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ479EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ479EP

SQJ479EP Datasheet (PDF)

..1. Size:264K vishay
sqj479ep.pdf

SQJ479EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -80 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.033RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.044 100 % Rg and UIS testedID (A) -32 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please see

9.1. Size:290K vishay
sqj476ep.pdf

SQJ476EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.038 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.050 Material categorization:ID (A) 23for definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww

9.2. Size:289K vishay
sqj474ep.pdf

SQJ474EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.030 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.035 Material categorization:ID (A) 26for definitions of compliance please seeConfiguration Single www.

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History: FQD6N50C

Liste

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