SQJ479EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ479EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQJ479EP datasheet

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SQJ479EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -80 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.033 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.044 100 % Rg and UIS tested ID (A) -32 Material categorization Configuration Single for definitions of compliance please see

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SQJ476EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.038 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.050 Material categorization ID (A) 23 for definitions of compliance please see Configuration Single www

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SQJ474EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.030 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.035 Material categorization ID (A) 26 for definitions of compliance please see Configuration Single www.

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