SQJA04EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJA04EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SQJA04EP datasheet
sqja04ep.pdf
SQJA04EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 60
sqja02ep.pdf
SQJA02EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 60
sqja06ep.pdf
SQJA06EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS tested D Material categorization for definitions of compliance please see 1 S www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 D S 4 1 G Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY G VDS (V) 60 RDS
sqja00ep.pdf
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History: OSG60R108JZF | OSG60R108KSZF
🌐 : EN ES РУ
Liste
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