SQJB68EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJB68EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de SQJB68EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQJB68EP datasheet

 ..1. Size:283K  vishay
 sqjb68ep.pdf pdf_icon

SQJB68EP

SQJB68EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 G2 1 D1 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMA

 9.1. Size:269K  vishay
 sqjb60ep.pdf pdf_icon

SQJB68EP

SQJB60EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8L Dual TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified D1 100 % Rg and UIS tested Material categorization D2 for definitions of compliance please see 1 S1 www.vishay.com/doc?99912 2 G1 3 S2 4 1 D1 1 G2 D2 Top View Bottom View PRODUCT SUMMARY

Otros transistores... SQJA86EP, SQJA88EP, SQJA94EP, SQJA96EP, SQJB00EP, SQJB40EP, SQJB42EP, SQJB60EP, IRF3205, SQJB70EP, SQJB80EP, SQJB90EP, SQM50028EM, SQM90142E, SQP90142E, SQS401ENW, SQS481ENW