SUM70060E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM70060E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 375 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 131 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 53.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1395 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM70060E
SUM70060E Datasheet (PDF)
..1. sum70060e.pdf 
Size:190K _vishay
SUM70060Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0056 at VGS = 10 V 131100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-263
9.1. sum70n03-09cp.pdf Size:67K _vishay
SUM70N03-09CPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for High- or Low-SideV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New Low Thermal Resistance Package0.0095 @ VGS = 20 V 70D 100% Rg Tested30300.014 @ VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersDTO-263DRAIN connected to TAB
9.2. sum70n04-07l.pdf Size:162K _vishay
SUM70N04-07LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0074 at VGS = 10 V70aRoHS*40 Low Threshold0.011 at VGS = 4.5 V COMPLIANT67APPLICATIONS Motor ControlDTO-263GG D SSTop ViewOrdering Information: SUM70N
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