SUM70060E Todos los transistores

 

SUM70060E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM70060E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 131 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUM70060E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  vishay
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SUM70060E

SUM70060Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0056 at VGS = 10 V 131100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-263

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SUM70060E

SUM70N03-09CPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for High- or Low-SideV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New Low Thermal Resistance Package0.0095 @ VGS = 20 V 70D 100% Rg Tested30300.014 @ VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersDTO-263DRAIN connected to TAB

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SUM70060E

SUM70N04-07LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0074 at VGS = 10 V70aRoHS*40 Low Threshold0.011 at VGS = 4.5 V COMPLIANT67APPLICATIONS Motor ControlDTO-263GG D SSTop ViewOrdering Information: SUM70N

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History: 2SK1279 | IRL3714LPBF

 

 
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