SUM70060E Todos los transistores

 

SUM70060E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUM70060E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 375 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 131 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 53.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1395 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0056 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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SUM70060E Datasheet (PDF)

..1. sum70060e.pdf Size:190K _vishay

SUM70060E SUM70060E

SUM70060Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0056 at VGS = 10 V 131100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0062 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-263

9.1. sum70n03-09cp.pdf Size:67K _vishay

SUM70060E SUM70060E

SUM70N03-09CPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for High- or Low-SideV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New Low Thermal Resistance Package0.0095 @ VGS = 20 V 70D 100% Rg Tested30300.014 @ VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersDTO-263DRAIN connected to TAB

9.2. sum70n04-07l.pdf Size:162K _vishay

SUM70060E SUM70060E

SUM70N04-07LVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.0074 at VGS = 10 V70aRoHS*40 Low Threshold0.011 at VGS = 4.5 V COMPLIANT67APPLICATIONS Motor ControlDTO-263GG D SSTop ViewOrdering Information: SUM70N

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