11NM70L-TMS2-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 11NM70L-TMS2-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Encapsulados: TO-251S
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11NM70L-TMS2-T datasheet
11nm70l-tms2-t 11nm70g-tms2-t 11nm70l-tn3-r 11nm70g-tn3-r 11nm70l-t2q-t 11nm70g-t2q-t 11nm70l-t2s-t 11nm70g-t2s-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver
11nm70l-ta3-t 11nm70g-ta3-t 11nm70l-tf3-t 11nm70g-tf3-t 11nm70l-tf1-t 11nm70g-tf1-t 11nm70l-tm3-t 11nm70g-tm3-t.pdf
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Otros transistores... 11NM70L-TA3-T, 11NM70G-TA3-T, 11NM70L-TF3-T, 11NM70G-TF3-T, 11NM70L-TF1-T, 11NM70G-TF1-T, 11NM70L-TM3-T, 11NM70G-TM3-T, STF13NM60N, 11NM70G-TMS2-T, 11NM70L-TN3-R, 11NM70G-TN3-R, 11NM70L-T2Q-T, 11NM70G-T2Q-T, 11NM70L-T2S-T, 11NM70G-T2S-T, 12N10L-TA3-T
History: 15N65L-T47-T | 11NM70L-TF1-T | LSI1012LT1G | D120N10ZR | 10N80L-TF2-T | BF998WR | 10N60G-TF1-T
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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