11NM70G-T2Q-T Todos los transistores

 

11NM70G-T2Q-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 11NM70G-T2Q-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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11NM70G-T2Q-T Datasheet (PDF)

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 11nm70l-tms2-t 11nm70g-tms2-t 11nm70l-tn3-r 11nm70g-tn3-r 11nm70l-t2q-t 11nm70g-t2q-t 11nm70l-t2s-t 11nm70g-t2s-t.pdf pdf_icon

11NM70G-T2Q-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver

 5.1. Size:240K  utc
 11nm70l-ta3-t 11nm70g-ta3-t 11nm70l-tf3-t 11nm70g-tf3-t 11nm70l-tf1-t 11nm70g-tf1-t 11nm70l-tm3-t 11nm70g-tm3-t.pdf pdf_icon

11NM70G-T2Q-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM70 Power MOSFET 11A, 700V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET DESCRIPTION The UTC 11NM70 is a Super Junction MOSFET Structureand is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC conver

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History: HY4N65T | JCS50N06FH | 2SK3402-ZK | FDMC86160ET100 | 2SK3600-01S | 2SK3813 | SIR460DP

 

 
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