STT03L06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT03L06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT03L06

STT03L06 Datasheet (PDF)

..1. Size:134K samhop
stt03l06.pdf

GreenProductSTT03L06aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSurface Mount Package.60V 3A125 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

7.1. Size:134K samhop
stt03l03.pdf

GreenProductSTT03L03aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.104 @ VGS=10VSurface Mount Package.30V 3A149 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

9.1. Size:134K samhop
stt03n10.pdf

GreenProductSTT03N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.235 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2.5A300 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

9.2. Size:127K samhop
stt03n20.pdf

GreenProductSTT03N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.2.43 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 0.7A2.66 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Otros transistores... STT03N10 , FDD6685 , FDD6760A , FDD6770A , FDD6778A , FDD6780A , FDD6796A , FDD6N20TM , IRF3710 , FDD6N25 , FDD6N50 , FDD6N50F , FDD6N50TMF085 , FDD7N20TM , STT03L03 , FDD7N25LZ , FDD8424H .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: