FDD8444 Todos los transistores

 

FDD8444 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD8444

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 153 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 145 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 89 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0052 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD8444

 

FDD8444 Datasheet (PDF)

1.1. fdd8444l f085.pdf Size:388K _fairchild_semi

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January 2009 FDD8444L_F085 tm N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 6.0mΩ Applications Features Typ rDS(on) = 3.8mΩ at VGS = 5V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(tot) = 46nC at VGS = 5V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Po

1.2. fdd8444 f085.pdf Size:311K _fairchild_semi

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October 2010 FDD8444_F085 N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 5.2mΩ Applications Features Typ rDS(on) = 4mΩ at VGS = 10V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Arch

 1.3. fdd8444.pdf Size:309K _fairchild_semi

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June 2007 FDD8444 tm N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 5.2mΩ Applications Features Typ rDS(on) = 4mΩ at VGS = 10V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Architec

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