FDD8444 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDD8444  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 153 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDD8444

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD8444 даташит

 ..1. Size:311K  fairchild semi
 fdd8444 f085.pdf pdf_icon

FDD8444

October 2010 FDD8444_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 50A, 5.2m Applications Features Typ rDS(on) = 4m at VGS = 10V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Arch

 ..2. Size:309K  fairchild semi
 fdd8444.pdf pdf_icon

FDD8444

June 2007 FDD8444 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 50A, 5.2m Applications Features Typ rDS(on) = 4m at VGS = 10V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Architec

 ..3. Size:467K  onsemi
 fdd8444.pdf pdf_icon

FDD8444

March 2015 FDD8444 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 50A, 5.2m Applications Features Typ rDS(on) = 4m at VGS = 10V, ID = 50A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 89nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Transmission UIS Capability (Single Pulse/ Repetitive Pulse) Distributed Power Architectur

 ..4. Size:287K  inchange semiconductor
 fdd8444.pdf pdf_icon

FDD8444

isc N-Channel MOSFET Transistor FDD8444 FEATURES Drain Current I =155A@ T =25 D C Drain Source Voltage V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =5.2m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDD6N50TMF085, FDD7N20TM, STT03L03, FDD7N25LZ, FDD8424H, STT02N20, FDD8424HF085, STT02N10, IRFP250N, FDD8444F085, FDD8444LF085, FDD8445, FDD8445F085, FDD8447L, FDD8447LF085, FDD8451, FDD8453LZ