2N90L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N90L-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
2N90L-TN3-R Datasheet (PDF)
2n90l-ta3-t 2n90g-ta3-t 2n90l-tf3-t 2n90g-tf3-t 2n90l-tm3-t 2n90g-tm3-t 2n90l-tn3-r 2n90g-tn3-r 2n90l-tnd-r 2n90g-tnd-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N90 Power MOSFET 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technologyspecialized in allowing a minimum on-state resistance andsuperior switching performance. It also can withstand high energy
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History: STP33N65M2 | STP55N06L | BUZ358 | RFL1N10L
History: STP33N65M2 | STP55N06L | BUZ358 | RFL1N10L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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