2P50G-AA3-R Todos los transistores

 

2P50G-AA3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2P50G-AA3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

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2P50G-AA3-R datasheet

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 2p50l-aa3-r 2p50g-aa3-r 2p50l-tn3-r 2p50g-tn3-r.pdf pdf_icon

2P50G-AA3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252 The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-

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History: STD16N50M2 | IRF623FI | AOD400 | CS3N50B4 | IPB090N06N3 | GPT09N50D | 2SK4066-E

 

 

 

 

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