2P50G-AA3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P50G-AA3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 6.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11.5 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 59 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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2P50G-AA3-R Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2P50 POWER MOSFET -2A, -500V P-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC 2P50 is a P-channel MOS Field Effect Transistor. it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. The UTC 2P50 is suitable for high voltage switching applications. 1 FEATURES SOT-
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History: 2SJ194
