STS4501 Todos los transistores

 

STS4501 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4501
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS4501 Datasheet (PDF)

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STS4501

GreenProductS TS 4501S amHop Microelectronics C orp.t. 12,2007cOP-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E SVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.65 @ VG S = -10V-40V -3.5AS OT-23 Package.85 @ VG S = -4.5VDS OT-23GSABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C un

Otros transistores... FDG6301NF085 , FDG6306P , FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , IRF1405 , FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 .

History: HAF2005 | AP01L60J-H

 

 
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