STS4501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS4501  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STS4501

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4501 даташит

 ..1. Size:133K  samhop
 sts4501.pdf pdf_icon

STS4501

Green Product S TS 4501 S amHop Microelectronics C orp. t. 12,2007 c O P-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S VDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON). R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 65 @ VG S = -10V -40V -3.5A S OT-23 Package. 85 @ VG S = -4.5V D S OT-23 G S ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C un

Другие IGBT... FDG6301NF085, FDG6306P, FDG6308P, FDG6316P, FDG6317NZ, FDG6318P, FDG6318PZ, FDG6320C, FTP08N06A, FDG6321C, STS4300, FDG6322C, STS400, FDG6332C, STS3623, FDG6332CF085, STS3621