Справочник MOSFET. STS4501

 

STS4501 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4501
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS4501

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4501 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  samhop
 sts4501.pdf pdf_icon

STS4501

GreenProductS TS 4501S amHop Microelectronics C orp.t. 12,2007cOP-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E SVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.65 @ VG S = -10V-40V -3.5AS OT-23 Package.85 @ VG S = -4.5VDS OT-23GSABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C un

Другие MOSFET... FDG6301NF085 , FDG6306P , FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C , IRF1405 , FDG6321C , STS4300 , FDG6322C , STS400 , FDG6332C , STS3623 , FDG6332CF085 , STS3621 .

 

 
Back to Top

 


 
.