8N80G-TA3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8N80G-TA3-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 178 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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8N80G-TA3-T Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N80 Power MOSFET 8A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N80 is an N-channel mode power MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche a
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History: FHP6N90A
