8N80G-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 8N80G-TF1-T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8N80G-TF1-T

8N80G-TF1-T Datasheet (PDF)

..1. Size:253K utc
8n80l-ta3-t 8n80g-ta3-t 8n80l-tf3-t 8n80g-tf3-t 8n80l-tf1-t 8n80g-tf1-t 8n80l-tf2-t 8n80g-tf2-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N80 Power MOSFET 8A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N80 is an N-channel mode power MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche a

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: