9N90G-TF1-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9N90G-TF1-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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9N90G-TF1-T datasheet

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9N90G-TF1-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTC s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:628K  silicon standard
 ssm09n90gw.pdf pdf_icon

9N90G-TF1-T

SSM09N90GW N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM09N90GW acheives fast switching performance BVDSS 900V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 1.2 suitable for high voltage applications such as AC/DC converters and offline power supplies. I 8.6A D The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package, Pb-free; RoHS-compli

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