9N90G-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9N90G-TF1-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
9N90G-TF1-T Datasheet (PDF)
9n90l-tc3-t 9n90g-tc3-t 9n90l-tf1-t 9n90g-tf1-t 9n90l-tf2-t 9n90g-tf2-t 9n90l-t3p-t 9n90g-t3p-t 9n90l-t3n-t 9n90g-t3n-t 9n90l-t47-t 9n90g-t47-t.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9N90 Power MOSFET 9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 9N90 uses UTCs advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
ssm09n90gw.pdf

SSM09N90GWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90GW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.2suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 8.6AD The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-compli
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History: KNP3208A | SSF11NS70UF | FDS4559 | SI4368DY | UT2301Z | AP2316GN-HF | SWK15N04V
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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