UF07P15G-AE3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UF07P15G-AE3-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF07P15G-AE3-R

UF07P15G-AE3-R Datasheet (PDF)

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uf07p15g-ae3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF07P15 Preliminary Power MOSFET -0.7A, -150V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF07P15 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

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Liste

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