UF07P15G-AE3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF07P15G-AE3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF07P15G-AE3-R
UF07P15G-AE3-R Datasheet (PDF)
uf07p15g-ae3-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF07P15 Preliminary Power MOSFET -0.7A, -150V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF07P15 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)
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Liste
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