UF07P15G-AE3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UF07P15G-AE3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UF07P15G-AE3-R Datasheet (PDF)
uf07p15g-ae3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF07P15 Preliminary Power MOSFET -0.7A, -150V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF07P15 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SFW9530 | HGB043N15S | IXTL2X220N075T | 2SK372 | SWB072R06ET | YTF820 | IXFP18N65X2
History: SFW9530 | HGB043N15S | IXTL2X220N075T | 2SK372 | SWB072R06ET | YTF820 | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet