Справочник MOSFET. UF07P15G-AE3-R

 

UF07P15G-AE3-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UF07P15G-AE3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для UF07P15G-AE3-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF07P15G-AE3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  utc
 uf07p15g-ae3-r.pdf pdf_icon

UF07P15G-AE3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF07P15 Preliminary Power MOSFET -0.7A, -150V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF07P15 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT42S60L | AP10TN008CMT-L | 2SK3337-01 | AP15TN1R5N | HY5110W | SVF840MJ | AOT22N50L

 

 
Back to Top

 


 
.