FDH45N50FF133 Todos los transistores

 

FDH45N50FF133 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH45N50FF133
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
 

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FDH45N50FF133 datasheet

 5.1. Size:513K  fairchild semi
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FDH45N50FF133

November 2013 FDH45N50F N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500 V, 45 A, 120 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better swi

 5.2. Size:211K  inchange semiconductor
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FDH45N50FF133

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50F FEATURES With TO-247 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Otros transistores... STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , FDH3632 , STS3411A , FDH44N50 , IRF540 , FDH5500F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10AF102 , STS3409L , FDI150N10 , STS3409 .

History: FDC6327C | SWY7N65D

 

 

 


 
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