FDH45N50FF133 Todos los transistores

 

FDH45N50FF133 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH45N50FF133
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 137 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
 

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FDH45N50FF133 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:513K  fairchild semi
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FDH45N50FF133

November 2013FDH45N50FN-Channel UniFETTM FRFET MOSFET500 V, 45 A, 120 mFeatures DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and toprovide better swi

 5.2. Size:211K  inchange semiconductor
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FDH45N50FF133

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50FFEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT1001R2BN

 

 
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