FDH45N50FF133 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDH45N50FF133  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDH45N50FF133

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH45N50FF133 даташит

 5.1. Size:513K  fairchild semi
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50FF133

November 2013 FDH45N50F N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500 V, 45 A, 120 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better swi

 5.2. Size:211K  inchange semiconductor
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50FF133

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50F FEATURES With TO-247 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие IGBT... STS3426, FDG8850NZ, FDH038AN08A1, FDH047AN08A0, FDH055N15A, FDH3632, STS3411A, FDH44N50, IRF540, FDH5500F085, FDI030N06, FDI038AN06A0, FDI040N06, FDI045N10AF102, STS3409L, FDI150N10, STS3409