FDH45N50FF133 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDH45N50FF133 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDH45N50FF133
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FDH45N50FF133

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH45N50FF133 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:513K  fairchild semi
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50FF133

November 2013FDH45N50FN-Channel UniFETTM FRFET MOSFET500 V, 45 A, 120 mFeatures DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and toprovide better swi

 5.2. Size:211K  inchange semiconductor
 fdh45n50f.pdf pdf_icon

FDH45N50FF133

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50FFEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие MOSFET... STS3426 , FDG8850NZ , FDH038AN08A1 , FDH047AN08A0 , FDH055N15A , FDH3632 , STS3411A , FDH44N50 , IRF540N , FDH5500F085 , FDI030N06 , FDI038AN06A0 , FDI040N06 , FDI045N10AF102 , STS3409L , FDI150N10 , STS3409 .

 

 
Back to Top

 


 
.