UF840KG-TF1-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF840KG-TF1-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UF840KG-TF1-T
UF840KG-TF1-T Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840K-MTQ Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)
uf840.pdf
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF840 Power MOSFET 8A, 500V, 0.85, N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. FEATURES * Low RDS(ON)=0.85 * Single Pulse Ava
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