UP9971G-S08-R Todos los transistores

 

UP9971G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UP9971G-S08-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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UP9971G-S08-R Datasheet (PDF)

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UP9971G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toDIP-8provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 8.1. Size:198K  utc
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UP9971G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP9971 Power MOSFET 5A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION DIP-8The UTC UP9971 uses UTCs advanced technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for being used as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
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