UT20N03G-K08-5060-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT20N03G-K08-5060-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT20N03G-K08-5060-R
UT20N03G-K08-5060-R Datasheet (PDF)
ut20n03l-tn3-r ut20n03g-tn3-r ut20n03g-k08-5060-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON)
ut20n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT20N03 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 20m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 4 5 6 7 8U
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Isc N-Channel MOSFET Transistor UT20N03FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
