UT3N10L-AG6-R Todos los transistores

 

UT3N10L-AG6-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT3N10L-AG6-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
     - Selección de transistores por parámetros

 

UT3N10L-AG6-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  utc
 ut3n10l-ag6-r ut3n10g-ag6-r ut3n10l-tn3-r ut3n10g-tn3-r ut3n10l-k08-3030-r ut3n10g-k08-3030-r.pdf pdf_icon

UT3N10L-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

 5.1. Size:385K  utc
 ut3n10l-aa3-r ut3n10g-aa3-r ut3n10l-ab3-r ut3n10g-ab3-r ut3n10l-ae3-r ut3n10g-ae3-r.pdf pdf_icon

UT3N10L-AG6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMOS44N80 | DMP1096UCB4 | AM2336N-T1 | G11 | CEF05N6

 

 
Back to Top

 


 
.