UT3N10L-TN3-R Todos los transistores

 

UT3N10L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT3N10L-TN3-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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UT3N10L-TN3-R Datasheet (PDF)

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 ut3n10l-ag6-r ut3n10g-ag6-r ut3n10l-tn3-r ut3n10g-tn3-r ut3n10l-k08-3030-r ut3n10g-k08-3030-r.pdf pdf_icon

UT3N10L-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

 6.1. Size:385K  utc
 ut3n10l-aa3-r ut3n10g-aa3-r ut3n10l-ab3-r ut3n10g-ab3-r ut3n10l-ae3-r ut3n10g-ae3-r.pdf pdf_icon

UT3N10L-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT3N10 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT 3MODE POWER MOSFET 21 1SOT-23TO-252(EIAJ SC-59) DESCRIPTION The UTC UT3N10 is an N-channel power MOSFET providing very low on-resistance. It has high efficiency and perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and industrial fields. 11SOT-89SOT-223 FE

Otros transistores... UT3N10L-AA3-R , UT3N10G-AA3-R , UT3N10L-AB3-R , UT3N10G-AB3-R , UT3N10L-AE3-R , UT3N10G-AE3-R , UT3N10L-AG6-R , UT3N10G-AG6-R , 13N50 , UT3N10G-TN3-R , UT3N10L-K08-3030-R , UT3N10G-K08-3030-R , UT4404G-S08-R , UT4421G-S08-R , UT60N03L-TA3-T , UT60N03G-TA3-T , UT60N03L-TM3-T .

 

 
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