FDI8441F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDI8441F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 215 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDI8441F085

FDI8441F085 Datasheet (PDF)

7.1. Size:458K fairchild semi
fdi8441 f085.pdf

May 2010FDI8441_F085N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.2m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter /

7.2. Size:303K fairchild semi
fdi8441.pdf

July 2007tmFDI8441N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 80A, 2.7m Features Applications Automotive Engine Control Typ rDS(on) = 2.2m at VGS = 10V, ID = 80A Powertrain Management Typ Qg(10) = 215nC at VGS = 10V Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter /

7.3. Size:282K inchange semiconductor
fdi8441.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDI8441FEATURESDrain Current I =80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power su pplies and generalpurpose

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Liste

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