UT9564G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT9564G-S08-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT9564G-S08-R
UT9564G-S08-R Datasheet (PDF)
ut9564l-tn3-r ut9564g-tn3-r ut9564g-s08-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9564 Power MOSFET -40V, -7.3A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT9564 is a P-ch enhancement mode power MOSFETand it uses UTC perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The UTC UT9564 is ideal for applications such as
ut9564.pdf
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