UT9564G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT9564G-S08-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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UT9564G-S08-R Datasheet (PDF)

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ut9564l-tn3-r ut9564g-tn3-r ut9564g-s08-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9564 Power MOSFET -40V, -7.3A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT9564 is a P-ch enhancement mode power MOSFETand it uses UTC perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The UTC UT9564 is ideal for applications such as

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Liste

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