UTD408G-TN3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTD408G-TN3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO252

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UTD408G-TN3-R datasheet

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UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UTD408L-

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UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain *Pb-free plating product number UTD408L 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Le

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UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD405 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD405 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance by using advanced trench technology. This device is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = -10 V * Low capacitance

Otros transistores... UT9435HL-AL6-R, UT9435HG-AG6-R, UT9435HL-S08-R, UT9435HG-S08-R, UT9564L-TN3-R, UT9564G-TN3-R, UT9564G-S08-R, UTD408L-TN3-R, 60N06, UTM2054L-AB3-R, UTM2054G-AB3-R, UTM2054L-AE3-R, UTM2054G-AE3-R, UTM4052L-S08-R, UTM4052G-S08-R, UTM4052L-TN4-R, UTM4052G-TN4-R