Справочник MOSFET. UTD408G-TN3-R

 

UTD408G-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UTD408G-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для UTD408G-TN3-R

 

 

UTD408G-TN3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  utc
 utd408l-tn3-r utd408g-tn3-r.pdf

UTD408G-TN3-R UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3UTD408L-

 8.1. Size:257K  utc
 utd408.pdf

UTD408G-TN3-R UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD408 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES * RDS(ON) = 18m @VGS = 10 V * Low capacitance * Optimized gate charge * Fast switching capability * Avalanche energy specified SYMBOL 2.Drain*Pb-free plating product number: UTD408L1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Le

 9.1. Size:245K  utc
 utd405.pdf

UTD408G-TN3-R UTD408G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD405 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD405 can provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance by using advanced trench technology. This device is well suited for high current load applications with the excellent thermal resistance. FEATURES * RDS(ON) = 32m @VGS = -10 V * Low capacitance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top