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UTM4052L-TN4-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTM4052L-TN4-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTM4052L-TN4-R

 

Principales características: UTM4052L-TN4-R

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UTM4052L-TN4-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4052 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) FEATURES SOP-8 * N-Channel 40V/7.5A RDS(ON) = 30 m (typ.) @VGS =10V RDS(ON) = 46 m (typ.) @ VGS= 5V * P-Channel -40V/-6A RDS(ON) = 45 m (typ.) @ VGS= -10V 1 RDS(ON) = 52 m (typ.) @ VGS= -5V * Super High Dense Cell Design TO-252-4 * Reliable and Rugged SYMBO

 6.1. Size:1606K  cn vbsemi
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UTM4052L-TN4-R

UTM4052L www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS

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History: TF2369 | PT9435 | ZVNL110ASTOB | MTP4N90 | ZVN3310FTA | IPA60R180P7S | PSMN6R4-30MLD

 

 
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