UTM4052L-TN4-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTM4052L-TN4-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO252-4

Аналог (замена) для UTM4052L-TN4-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM4052L-TN4-R даташит

 ..1. Size:434K  utc
 utm4052l-s08-r utm4052g-s08-r utm4052l-tn4-r utm4052g-tn4-r utm4052l-tn4-t utm4052g-tn4-t.pdf pdf_icon

UTM4052L-TN4-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4052 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) FEATURES SOP-8 * N-Channel 40V/7.5A RDS(ON) = 30 m (typ.) @VGS =10V RDS(ON) = 46 m (typ.) @ VGS= 5V * P-Channel -40V/-6A RDS(ON) = 45 m (typ.) @ VGS= -10V 1 RDS(ON) = 52 m (typ.) @ VGS= -5V * Super High Dense Cell Design TO-252-4 * Reliable and Rugged SYMBO

 6.1. Size:1606K  cn vbsemi
 utm4052l.pdf pdf_icon

UTM4052L-TN4-R

UTM4052L www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS

Другие IGBT... UTD408L-TN3-R, UTD408G-TN3-R, UTM2054L-AB3-R, UTM2054G-AB3-R, UTM2054L-AE3-R, UTM2054G-AE3-R, UTM4052L-S08-R, UTM4052G-S08-R, IRF840, UTM4052G-TN4-R, UTM4052L-TN4-T, UTM4052G-TN4-T, UTM4953L-S08-R, UTM4953G-S08-R, UTM6016L-TA3-T, UTM6016G-TA3-T, UTM6016L-TN3-R