UTM6016G-TN3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTM6016G-TN3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO252

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UTM6016G-TN3-R datasheet

 ..1. Size:261K  utc
 utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UTM6016G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 1 1 TO-220 DESCRIPTION TO-252 The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1 DC-DC power s

 6.1. Size:858K  cn vbsemi
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UTM6016G-TN3-R

UTM6016G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11.6 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CC

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