UTM6016G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTM6016G-S08-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 5.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 160 nC
Tiempo de subida (tr): 106 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTM6016G-S08-R
UTM6016G-S08-R Datasheet (PDF)
utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 11TO-220 DESCRIPTION TO-252The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1DC-DC power s
utm6016g.pdf
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UTM6016Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC
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