2P829A9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829A9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-106-1
2P829A9 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P7154BC , 2P7154VC , 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , IRFZ46N , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MDT08N06D | MDP9N20 | MDP5N65 | MDP2N60 | MDP18N20 | MD9N90 | MD40N25 | MD33N25 | MD23N50 | MD20N65 | MD20N60 | K3878 | IRLR024NTR | AO3401S | AO3400S | P80NF70
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