2P829B9 Todos los transistores

 

2P829B9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829B9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-106-1

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2P829B9

 

2P829B9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  russia
 2p829b9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 800 28299Ic = 15 R = 0,5 -106-1

 8.1. Size:195K  russia
 2p829b.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 800 2829Ic = 15 R = 0,5 . - 2 -105-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

 9.3. Size:170K  russia
 2p829e9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 60 28299Ic = 60 R = 0,005 -95-1

 9.4. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

 9.5. Size:187K  russia
 2p829v.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

 9.6. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.7. Size:180K  russia
 2p829e.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 60 2829Ic = 60 R = 0,005 . - 2 -43-

 9.8. Size:157K  russia
 2p829j9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 30 28299Ic = 80 R = 0,03

 9.9. Size:171K  russia
 2p829d.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 100 2829Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

 9.10. Size:172K  russia
 2p829a9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 1200 28299Ic = 10 R = 0,9 -106-1

 9.11. Size:207K  russia
 2p829a.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 1200 2829Ic = 10 R = 0,9 . - 2 -105-

 9.12. Size:167K  russia
 2p829d9.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 100 28299Ic = 50 R = 0,01 -95-1

 9.13. Size:174K  russia
 2p829g.pdf

2P829B9 2P829B9

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


2P829B9   2P829B9   2P829B9  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top