2P829B9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829B9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-106-1
Búsqueda de reemplazo de 2P829B9 MOSFET
2P829B9 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , RU6888R , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 .
History: BST82 | APM2701AC | STF110N10F7 | WMJ12N120D1 | SDD02N70 | SNN3100L10D | FQAF11N90C
History: BST82 | APM2701AC | STF110N10F7 | WMJ12N120D1 | SDD02N70 | SNN3100L10D | FQAF11N90C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet