2P829B9 Todos los transistores

 

2P829B9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829B9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-106-1
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2P829B9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  russia
2p829b9.pdf pdf_icon

2P829B9

U = 800 28299Ic = 15 R = 0,5 -106-1

 8.1. Size:195K  russia
2p829b.pdf pdf_icon

2P829B9

U = 800 2829Ic = 15 R = 0,5 . - 2 -105-1

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2p829i9.pdf pdf_icon

2P829B9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
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2P829B9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

Otros transistores... 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 75N75 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 .

History: MTP452L3 | HTJ270N03 | TPCA8107-H | TSP840MR | 75N75G-TA3-T | DH100P18I | PMCPB5530X

 

 
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