J112RLRAG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: J112RLRAG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 35 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: TO-92

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J112RLRAG datasheet

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J112RLRAG

J111, J112 JFET Chopper Transistors N-Channel Depletion Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* 1 DRAIN MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 Drain-Gate Voltage VDG -35 Vdc GATE Gate -Source Voltage VGS -35 Vdc Gate Current IG 50 mAdc 2 SOURCE Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 350 mW Derate above = 25 C 2.8 mW/ C Lead Temperature TL 300

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J112RLRAG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by J112/D JFET Chopper Transistor N Channel Depletion 1 DRAIN J112 3 GATE 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Drain Gate Voltage VDG 35 Vdc 2 3 Gate Source Voltage VGS 35 Vdc CASE 29 04, STYLE 5 Gate Current IG 50 mAdc TO 92 (TO 226AA) Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 350

Otros transistores... 2P986B, 2P986V, 2P986G, 2P986D, 2P986EC, 2P998A, 2P998BC, J112G, IRF1404, J300, KP7178A, KP767A, KP767B, KP767V, KP777B, KP778B, KP778V