J112RLRAG Todos los transistores

 

J112RLRAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J112RLRAG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de J112RLRAG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

J112RLRAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  1
 j112g j112rlrag.pdf pdf_icon

J112RLRAG

J111, J112JFET Chopper TransistorsN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Gate Voltage VDG -35 VdcGATEGate -Source Voltage VGS -35 VdcGate Current IG 50 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/CLead Temperature TL 300

 9.1. Size:110K  motorola
 j112 j112rev0.pdf pdf_icon

J112RLRAG

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby J112/DJFET Chopper TransistorNChannel Depletion1 DRAINJ1123GATE2 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit1DrainGate Voltage VDG 35 Vdc23GateSource Voltage VGS 35 VdcCASE 2904, STYLE 5Gate Current IG 50 mAdcTO92 (TO226AA)Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 350

Otros transistores... 2P986B , 2P986V , 2P986G , 2P986D , 2P986EC , 2P998A , 2P998BC , J112G , IRF1404 , J300 , KP7178A , KP767A , KP767B , KP767V , KP777B , KP778B , KP778V .

 

 
Back to Top

 


 
.