KP801B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP801B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de KP801B MOSFET
KP801B Datasheet (PDF)
kp801a kp801b kp801v kp801g.pdf

801 801 P-N N-801 8010 . 336 . 604 - N- 801, 801, 801, 801
Otros transistores... J300 , KP7178A , KP767A , KP767B , KP767V , KP777B , KP778B , KP778V , IRFB4110 , KP809A , KP809A1 , KP809B , KP809B1 , KP809V , KP809V1 , KP809G , KP809G1 .
History: SRM6N60DTR | OSG65R460AZF | IPI50R299CP | IRFSL3206PBF | CS8N50A8R | OSG65R380FZF | SIZ340DT
History: SRM6N60DTR | OSG65R460AZF | IPI50R299CP | IRFSL3206PBF | CS8N50A8R | OSG65R380FZF | SIZ340DT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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