KP801B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KP801B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для KP801B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP801B даташит

 ..1. Size:286K  russia
 kp801a kp801b kp801v kp801g.pdf pdf_icon

KP801B

801 801 P-N N- 801 801 0 . 336 . 604 - N- 801, 801, 801, 801

Другие IGBT... J300, KP7178A, KP767A, KP767B, KP767V, KP777B, KP778B, KP778V, AON6414A, KP809A, KP809A1, KP809B, KP809B1, KP809V, KP809V1, KP809G, KP809G1